本发明公开一种中空结构的碳包覆硅
负极材料的制备方法，包括：对
铜粉进行清洗，得到预处理铜粉；将
硅烷偶联剂、有机溶剂按照质量比1：1加入去离子水中溶解形成硅烷化处理液；将预处理铜粉加入硅烷化处理液中，在水浴加热条件下充分搅拌，静置、干燥得硅烷化铜粉；将硅烷化铜粉、有机碳源和溶剂混合均匀，干燥得到前驱物；初步烧结得硅/碳/氧化铜
复合材料；经酸洗溶液去除其中的金属离子，得到中空结构的硅/碳复合材料；二次烧结处理即可得到中空结构的碳包覆硅负极材料。本发明制备的负极材料中的硅能够均匀分布在碳包覆层的内层，中空的结构能够有效抑制硅充放电过程中的硅体积效应，有效提高材料的循环稳定性。
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来源：北方有色网
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