本发明公开了一种太阳能级含硼掺杂剂晶体硅锭生长及其硅原料提纯用坩埚,由坩埚外壳和覆盖在坩埚外壳内表面的氮化硼内衬组成,其中,氮化硼内衬的厚度为0.001mm～4mm,氮化硼内衬中氮化硼的质量不超过加入到坩埚内的硅原料质量的2%;坩埚外壳采用石墨、石英或炭炭
复合材料中的一种或多种加工而成。本发明还公开了该坩埚的制备方法及其应用。本发明解决了现有技术中硅熔液通过坩埚内的毛细管渗漏和硅在坩埚壁上的粘连而导致的坩埚或硅锭出现裂纹甚至破碎的问题,不但满足了工业化、大容积、低成本、寿命长的要求,而且具有普遍适用性,特别是可以适用于高温低压下或其它特定要求的生产环境。
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来源：北方有色网
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