一种相变材料的制备方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层,其中0.1≤x≤0.9;在所述Si-SbxTe1-x
复合材料的结晶温度之上,对所述Si-SbxTe1-x执行第一次退火工艺,使得其中的非晶Si和SbxTe1-x晶体形成分相;将退火后分相的非晶Si与SbxTe1-x的复合材料置于氢气氛中执行第二次退火工艺,使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料;对所述微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料执行加热退火脱氢工艺。相较于现有技术,本发明制备的是微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料,微晶态的Si晶粒尺寸在3纳米至20纳米左右,缺陷比非晶态Si少,能有效抑制氧化,阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散,具有更稳定的特性。
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来源：北方有色网
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