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ZnO-In2O3纳米半导体晶体气敏材料制备方法

795   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 17:01:36
一种ZnO-In2O3纳米半导体晶体气敏材料制备方法,属于无机纳米半导体复合材料。步骤为:首先以六水硝酸(Zn(NO3)2·6H2O)、4.5水硝酸铟(In(NO3)3·9/2H2O),以及聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone?PVP)为原料,其中硝酸锌和硝酸铟分别作为锌源和铟源,PVP增加溶液的粘度,并用乙醇、N,N-二甲基甲醛(DMF)作为溶剂,通过静电纺丝方法以及后续热处理过程制备出ZnO–In2O3纳米复合纤维;其次,以ZnO-In2O3复合纳米纤维作为晶种,在锌氨溶液环境下进行水热处理,在ZnO-In2O3纤维表面生长氧化锌晶体得到松枝形貌ZnO-In2O3纳米复合材料;最后,以松枝形貌ZnO-In2O3纳米复合材料作为基础材料组装成气敏元件。优点:能耗低、无污染,制备使用的设备简单,反应过程条件温和,稳定性好。具有类似PN型半导体异质结结构,灵敏度高,恢复时间短。
声明:
“ZnO-In2O3纳米半导体晶体气敏材料制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
         
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