本发明公开了一种CoOx/BiVO4纳米片及其制备方法和应用，属于
半导体材料领域。该方法通过水热反应制备BiVO4时，使用了较低的温度(1111111℃)和较短的反应时间(51171min)，缩短了制备时间的同时可以形成良好的纳米片状形貌，显著增大催化剂的比表面积，提供更多的吸附位点和活性位点，从而提升光催化性能；同时该方法选择无水乙醇作为浸渍液，缩短了烘干时间的同时使
复合材料获得了更窄的带隙宽度、提高了复合材料的可见光利用能力、使复合材料的光生载流子分离效果更好。
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“CoOx/BiVO4纳米片及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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