本发明提供一种镶嵌金刚石
铜的高功率密度基板及其制备方法。所述基板主体包括金刚石铜
复合材料部分和钨铜、钼
铜合金或无氧铜部分。所述合金部分镶嵌在复合材料上或所述复合材料镶嵌在合金上，两部分为冶金结合或焊接结合，采用真空压力浸渗工艺，可以直接近终成型。该基底具有高于钨铜等合金材料的热导率；热膨胀系数与
半导体材料相匹配；易于机械加工，比纯金刚石铜材料具有更好的可加工性；相对质量小和价格适中，便于推广使用，可以满足高功率电子器件的散热需求，解决了制约电子器件向高功率和小型化发展的散热问题。
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“镶嵌金刚石铜的高功率密度基板及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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