本发明公开一种半导体结构的制作方法及其平坦化制作工艺，其中该半导体结构的制作方法包括：提供具有第一表面的基板；形成沟槽于第一表面上，沟槽包含底面及侧壁；利用高纯度氩气或高纯度氢气对具有沟槽的基板进行退火处理，以平坦化底面及侧壁；共形设置
复合材料层以覆盖第一表面、底面及侧壁；设置
多晶硅材料层于沟槽内；移除第一表面上的复合材料层；形成多层金属内连线结构于第一表面及多晶硅材料层上，其中，多层金属内连线结构包含微机电系统框架结构及多个通孔；移除多晶硅材料层及复合材料层；以及利用包含有惰性气体及氢气的等离子体，对沟槽进行等离子体处理，使底面及侧壁平坦化。
声明：
“半导体结构的制作方法及其平坦化制作工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
899
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
