本发明公开了一种基于钛酸钡与铁酸
钴的双层自支撑磁电复合薄膜制备方法，主要解决现有1-3结构的
复合材料不能同时减小衬底钳制效应和漏电的问题。其实现步骤是：先在蓝宝石衬底沉积一层氧化镁薄膜，并在氧化镁薄膜上依次沉积铁酸钴和钛酸钡薄膜，得到双层磁电复合薄膜；再在其表面旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯，用硫酸铵溶液除去单晶氧化镁薄膜，使附有聚甲基丙烯酸甲酯的磁电复合薄膜与蓝宝石衬底脱离，并将脱离蓝宝石衬底的磁电复合薄膜转移到后续所需的衬底上，得到铁酸钴钛酸钡自支撑磁电复合薄膜。本发明得到的自支撑磁电复合薄膜相比现有的1-3结构的复合材料，其不仅可以减小衬底钳制，而且减小了漏电问题，可用于磁电传感器的制备。
声明：
“基于钛酸钡与铁酸钴的双层自支撑磁电复合薄膜制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1178
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
