本发明提供一种基于Al‑W‑Si的抗辐射电子封装材料及其制备方法，该电子封装材料包括Al‑W‑Si三元
复合材料和含Al‑W‑Si三元复合材料粉末的高分子涂层，具体制备方法为：将
铝硅合金经气雾化设备制备得到铝硅合金雾化粉末，然后与W粉末球磨，得到Al‑W‑Si三元复合材料粉末；将Al‑W‑Si三元复合材料粉末装入钢制包套内，经过预压，真空除气、真空热压使之致密化，经机加工，形成Al‑W‑Si三元复合材料；将聚氨酯改性环氧树脂与Al‑W‑Si三元复合材料粉末混合，涂覆到Al‑W‑Si三元复合材料上固化，得到基于Al‑W‑Si的抗辐射电子封装材料。本发明制备的电子封装材料具有低质、高导热、低碰撞系数和抗辐射加固性能。
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“基于Al‑W‑Si的抗辐射电子封装材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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