本发明公开了一种离子注入及离子束溅射辅助在纳米二氧化钛中制备硅量子点的制备方法。该方法过程包括:将基片和靶材清洗,置入溅射室内,在真空和氩气的保护条件下,预溅射清洗;以一定的引出电流、电压的氩离子束对二氧化钛进行溅射,在基片上沉积二氧化钛薄膜,经退火后,得到纳米二氧化钛薄膜;再以一定的能量、注入剂量进行三次硅离子的注入,得到硅掺杂的二氧化钛薄膜,经退火后,得到硅量子点掺杂的纳米二氧化钛薄膜。本发明的优点在于,方法简单条件温和,过程中能通过调节离子注入工艺来自由调节硅量子点的含量、尺寸、形态及分布,并且克服了量子点时易团聚的缺点,从而调节了掺杂的二氧化钛薄膜的光吸收特性。
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来源：北方有色网
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