本实用新型公开了一种
铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述IGBT基板包括焊接面和散热面，所述焊接面为平面结构，所述散热面为拱形结构，所述焊接面和散热面均为
铝合金层（2），所述焊接面和散热面之间包括AlSiC层（1），所述焊接面、AlSiC层（1）和散热面为一体结构；所述IGBT基板的两侧还包括半导体制冷片（5），所述半导体制冷片（5）的制冷端与所述IGBT基板的两侧贴合。本实用新型所述IGBT基板具有较高的热导率和与IGBT封装材料相匹配的热膨胀系数，散热速度快。
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“铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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