本发明涉及一种具有SiC‑HfB
2‑Si单层复合涂层的碳/碳
复合材料的制备方法，采用料浆浸渍法在碳/碳表面制备树脂碳‑SiC‑HfO
2‑B
4C‑Si多孔预涂层，随后气相渗硅，气相硅与碳/碳基体反应生成SiC过渡层，有利于提高涂层与基体的结合力。高温烧结使HfO
2、B
4C与树脂碳发生原位反应生成HfB
2，有利于规避直接添加HfB
2因其本身烧结性差引起的的颗粒分布不均问题。硅在高温环境下具有良好流动性，最终可协同提高涂层的整体致密性。SiC、HfB
2和Si在涂层中形成多相镶嵌界面，HfB
2钉扎在复合涂层中，可诱导涂层中裂纹偏转，还可缓解裂纹尖端应力。本发明所制备的SiC‑HfB
2‑Si复合抗氧化涂层具有一种新颖的过渡层及致密的镶嵌结构，与基体结合良好，具有优异的长时抗氧化及抗热震性能。
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“具有SiC-HfB2-Si单层复合涂层的碳/碳复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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