本发明公开了一种氧化
铜/硒
复合材料薄膜，将低熔点(为221℃)、强光敏性的Se引入CuO，从而得到晶性良好，光、电及光电性能优异的薄膜材料。本发明将Se引入CuO，并通过低温退火使Se熔化，利用熔化的Se对CuO的浸润来消除或减少CuO膜中的空洞和悬挂键等缺陷，从而提高薄膜的晶性、光、电及光电性能，克服了CuO结晶性差、熔点高且高温分解的缺点，在
太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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“氧化铜/硒复合材料薄膜” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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