本发明涉及一种高纯度、高密度、高产率的一维孔性(Zn,Cd)S/SiO2管状纳米
复合材料及其制备方法,属于材料制备技术领域。本发明采用热蒸发法在镀有金膜的硅片上生长制备一维孔性(Zn,Cd)S/SiO2管状纳米结构。制备包括以下步骤:(1)将一定Zn∶Cd比的ZnS与CdS混合粉末原料盛于陶瓷舟中,放置于管式炉高温恒温区;(2)混合粉末在一定流量的氮气保护下在管式炉中高温升华、蒸发;(3)混合蒸汽在氮气带动下在气流下方的镀有金膜的硅片上沉积生长,得到所述纳米结构。所述方法合成工艺和设备简单,工艺参数可控性强,成本低廉,所得(Zn,Cd)S/SiO2管状纳米结构产量大、密度高、纯度高。所合成的一维孔性纳米结构在气敏性元器件、储氢材料、非线性光学材料以及
太阳能电池等方面有广泛的应用前景。
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“一维孔性(Zn, Cd)S/SiO2管状纳米复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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