本发明公开了一种聚吡咯纳米线阵列/
石墨烯片/
锰氧化物
复合材料的制备方法。以氧化石墨烯三维结构为骨架，利用吡咯链段上带正电的氮和氧化石墨烯表面上的环氧键之间的静电张力在氧化石墨烯表面生长聚吡咯纳米线阵列，加入高锰酸钾溶液和过量的硫酸锰溶液到聚吡咯纳米线/氧化石墨烯混合液中，生成的二氧化锰沉积在氧化石墨烯片上面；同时，过量的带正电的Mn(Ⅱ)离子进入到负电性的氧化石墨烯片层间，并与氧化石墨烯发生氧化还原反应而生成Mn(Ⅲ)离子，同时将氧化石墨烯还原为石墨烯，然后通过水热法生成的纳米
四氧化三锰颗粒沉积在还原后的石墨烯层之间，最终制备出聚吡咯纳米线阵列/石墨烯片/锰氧化物复合材料。
声明：
“聚吡咯纳米线阵列/石墨烯片/锰氧化物复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
712
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
