本发明提供了一种富含硫空位的中空Co3S4/RGO
复合材料的制备方法，包括以下步骤：首先，将泡沫
镍加入到GO、抗坏血酸分散液中，得到RGO/NF；然后将
钴盐、2‑甲基咪唑配体和溶剂混合后浸入RGO/NF，反应后在基底上生长出沸石咪唑脂骨架Co‑ZIF‑L纳米片阵列；接着，将纳米片阵列加入到硫源溶液中，水热法硫化得到Co3S4/RGO/NF；最后，将Co3S4/RGO/NF加入到硼氢化钠溶液中，反应得到具有富含硫空位的中空Co3S4/RGO复合材料。本发明利用RGO修饰、中空结构的构筑和引入硫空位，增加材料的活性位点数、导电性和稳定性，从而提升超级电容器性能。
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“富含硫空位的中空Co3S4/RGO复合材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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