本发明提供一种基于TeO2/并五苯
复合材料的具有宽频特性的MOS器件，包括源极、栅极和漏极；该MOS器件的结构上从下到上依次为，玻璃作为衬底和ITO作为栅极，PVA与PMMA双层材料结构作为绝缘层，TeO2/并五苯复合材料作为有源激活层；源极和漏极采用金作为电极，所述源极和漏极为叉指状结构。本发明是利用电场来控制固体材料导电性能的有源MOS器件。该器件表现出明显的宽频特性，即在幅频特性上频带较宽。使得该发明成为在传感器，高频电子线路，大规模集成电路和有源主动显示领域有着很好的应用前景。
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“基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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