发明涉及半导体
复合材料技术领域，特别涉及一种
贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法。其步骤包括：将平面导电材准备；在非离子型高分子化合物中加入无水乙醇，搅拌，溶液中通氧10‑20分钟；溶液中加入金属氯化物，搅拌溶解；加入贵金属化合物溶液和非离子型表面活性剂，搅拌并缓慢加入碱性溶剂和水，形成溶胶；制备好的溶胶滴平面导电材料上，旋涂，使其表面覆盖；然后300‑600℃煅烧1‑3小时，冷却、水洗、吹干即可。该表现出极好的表面性质，薄膜均匀致密且稳定性良好，便于进行下一步材料的组装。
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“贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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