本发明涉及一种原位生长SiC纳米线增强C/SiC
复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：（1）浆料制备：将聚碳
硅烷、催化剂、和溶剂混合球磨制得浆料，其中所述催化剂为铁、
镍、和/或二茂铁；（2）真空高压浸渍：将C纤维预制体浸入所述浆料中，于真空状态下保持0.1～1小时，然后通入高压惰性气体至1～10MPa，保压1～4小时；（3）交联固化：将浸渍过的C纤维预制体放于空气中6小时以上进行交联固化制得预成型体；以及（4）高温裂解：将所述预成型体在保护气氛下以2～10℃/分钟的升温速率升温至1000～1300℃保温1～4小时，以在所述聚碳硅烷热解过程中在金属催化剂作用下原位生长SiC纳米线，从而制得所述原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料。
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“原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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