本发明提供了一种
碳化硅‑氮化硼纳米片异质填料的制备方法、环氧树脂导热
复合材料及制备方法，属于
纳米材料领域。本发明将碳化硅(SiC)与氮化硼纳米片(BNNS)原位生长制备异质结构导热填料碳化硅‑氮化硼纳米片(SiC‑BNNS)，基于化学键产生的紧密结合力可以降低直接掺杂BNNS和SiC引入的界面热阻，同时可以有效避免BNNS和SiC的团聚现象，更易在环氧树脂内构筑高效的SiC‑SiC和BNNS‑SiC‑BNNS导热通路，环氧树脂为基体，能够在低导热填料用量下促进导热通路的高效形成，进而实现环氧树脂复合材料高导热和高性能化。
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“碳化硅-氮化硼纳米片异质填料及制备方法、环氧树脂导热复合材料及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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