本发明公开了一种聚吡咯纳米线阵列/
石墨烯片/二氧化
锡复合材料的制备方法。以氧化石墨烯三维结构为骨架，利用吡咯链段上带正电的氮和氧化石墨烯表面上的环氧键之间的静电张力在氧化石墨烯表面生长聚吡咯纳米线阵列；同时，带正电的Sn(Ⅱ)离子进入到负电性的氧化石墨烯片层间，并与氧化石墨烯发生氧化还原反应而生成Sn(Ⅳ)离子，同时将氧化石墨烯还原为石墨烯，然后加入氢氧化钠溶液并在180℃下反应生成纳米二氧化锡颗粒沉积在还原后的石墨烯层之间，制得聚吡咯纳米线阵列/石墨烯片/二氧化锡复合材料。本发明方法制备过程简单、可靠、绿色环保，且制得的复合材料具有规整的空间结构，高能量密度和功率密度，以及优秀的循环性能。
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“聚吡咯纳米线阵列/石墨烯片/二氧化锡复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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