本发明涉及一种热模压结合化学气相渗透CVI制备Diamond/SiC
复合材料的方法，金刚石粉料的颗粒级配采用三级级配的方法，即采用三种粒径的金刚石粉料，分别为大粒径的金刚石粉料、中粒径的金刚石粉料和小粒径的金刚石粉料。这样在金刚石预制体的成型过程中，中粒径的金刚石颗粒会填充大粒径的金刚石颗粒空隙之间，小粒径金刚石颗粒再进一步填充在大粒径金刚石和中粒径金刚石颗粒之间的空隙。本方法可有效解决大粒径金刚石预制体成型困难的问题，而且可以有效提高复合材料的致密度以及金刚石的体积含量，从而有效提高复合材料的热导率以及力学性能。不仅如此，该方法的生产工艺简单、操作方便，适用于工业化生产。
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“热模压结合化学气相渗透CVI制备Diamond/SiC复合材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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