本发明公开了一种
碳纳米管‑
碳化硅纳米线
复合材料，为一维纳米结构，该材料中碳化硅纳米线沿碳纳米管的长度方向生长。该材料的制备方法：将预处理基片放入管式炉中，采用化学气相沉积法在基体上沉积碳纳米管；再采用化学气相沉积法在碳纳米管上沉积碳化硅纳米线，得到碳纳米管‑碳化硅纳米线复合材料。本发明充分利用碳纳米管和碳化硅纳米线在用CVD方式制备时都遵循V‑L‑S生长机制，从而制备出一种全新的一维纳米结构材料，该复合材料中碳化硅纳米线沿碳纳米管的长度方向生长，可以将碳化硅纳米线和碳纳米管的优异性能进行互补，通过控制二者的长度分配而获得需要的导电和导热性能材料，对于新型纳米电子器件的研制具有重要意义。
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“碳纳米管-碳化硅纳米线复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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