本发明公开了一种制备Diamond/SiC
复合材料的方法，包括如下步骤：1)制备金刚石预制体：将金刚石、石墨、硅粉、粘结剂按质量比混合均匀并压制生坯，将生坯在1000‑1200℃保护气氛下碳化得金刚石预制体；2)制备Diamond/SiC复合材料：将金刚石预制体置于氮化硅粉末上，于1500‑1700℃真空炉中充分反应1‑2h即得Diamond/SiC复合材料。本发明有效的避免了过量硅粉对样品的粘连，便于后续样品处理。
声明：
“制备Diamond/SiC复合材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1063
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
