本发明涉及一维纳米金属氧化钼纳米带/
石墨烯复合
半导体材料的制备方法，以氧化石墨烯和Na2MoO4·2H2O为原料，采用一步水热方法制备出了氧化钼纳米带/石墨烯
复合材料，该方法工艺简单，可控性高，制备周期短，产量高，成本低廉，克服了传统氧化钼纳米带/石墨烯复合材料制备重复性差，性能不稳定的缺点。另外，本发明还通过一种简单的方法将超声分散后的氧化钼纳米带/石墨烯复合材料涂覆在叉指电极上，制备出了性能优异的氢气敏感元件，该氢气敏感元件室温下对低浓度氢气对于1000ppm（0.1%，体积分数）氢气的响应时间仅为10.6s，灵敏度约为95%，表现出高灵敏、快速响应和回复时间短的优点。
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“氧化钼纳米带/石墨烯复合材料及其在制备氢气敏感元件方面的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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