本发明涉及一种反应烧结C
f/SiC
复合材料和同步反应连接的方法，包括：将碳的前驱体浆料涂覆在至少两个C
f/C多孔前驱体待连接件的连接面之间、经固化形成多孔碳基连接层，得到预连接体，所述碳的前驱体浆料的主成分包括：25～55wt%碳源、25～35wt%溶剂、20～50wt%
碳化硅粉体，所述碳源为无机碳源或/和有机碳源；将所得预连接体在1450～1650℃下进行液相渗硅，使得C
f/SiC复合材料的制备与连接同步完成。本发明简化生产工艺，降低多次高温处理过程带来的变形、开裂风险，更有利于制备更为复杂形状、大尺寸的C
f/SiC复合材料。
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“反应烧结Cf/SiC复合材料和同步反应连接的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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