本发明公开了一种二氟草酸硼酸
锂掺杂包覆SiO/C
复合材料及其制备方法和应用。将SiO粉末在CVD炉中进行气相沉积碳包覆，然后以SiO/C为核，通过在SiO/C上原位结晶生成二氟草酸硼酸锂包覆层，获得二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料，该复合材料由二氟草酸硼酸锂原位沉积并均匀包覆在SiO/C颗粒表面构成，碳包覆层能够有效提高导电性和为SiO材料的膨胀过程中提供缓冲，而二氟草酸硼酸锂在负极表面能形成稳定且致密的SEI膜，不易破裂，能够持续而有效减缓SEI膜对于锂源的消耗，同时减少锂枝晶生成，增加
电池材料的使用寿命和电池的高低温性能。
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“二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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