本发明公开了一种
碳纳米管阵列-聚吡咯-硫
复合材料及其制备方法，以及其在二次
铝电池中的应用。所述复合材料以垂直生长在导电基底表面的碳纳米管阵列为导电骨架，其间均匀负载活性物质，所述活性物质为单质硫和聚吡咯。该复合材料可直接作为正极，无需添加导电剂和粘结剂，制备工序简单，成本低廉，能量密度高。应用此复合正极的二次铝电池容量高、循环性能好。
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“碳纳米管阵列-聚吡咯-硫复合材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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