本发明提供一种高体积分数
碳化硅铝基
复合材料表面铝膜层制备方法，即铝基碳化硅复合材料表面离子镀纯铝膜层的方法。将铝基碳化硅复合材料构件置于真空炉内，与真空室壳体之间加上负偏压，抽真空后通直流电并充氩，利用辉光离子对构件进行轰击净化活化处理，清除表面氧化膜和吸附物；接通高频电源，热解BN坩埚内的纯铝镀料通过高频感应加热蒸发，铝蒸发粒子在电场作用下，加速沉积在铝基碳化硅构件表面，形成0.13～0.25mm厚的铝膜层。采用这种方法，由于沉积粒子与铝基同种元素之间的强键合作用，以及辉光离子轰击对构件表面的净化活化作用，从而在铝基碳化硅复合材料表面形成结合牢固的铝膜层，达到改善这类材料连接性能的目的。
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“高体积分数SiC铝基复合材料表面离子镀铝膜层的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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