本发明公开了一种高致密银基钨掺杂二氧化钒
复合材料的制备方法，具体步骤包括：首先制备V
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2粉体；然后采用双V型混粉技术将制备的V
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2粉体与银粉混合均匀，然后冷压，得到混合粉体；最后将得到的混合粉体采用气氛保护热压烧结，得到高致密度Ag/V
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2复合材料，本发明的制备方法，使银在熔融状态下与功能相V
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2发生扩散和结合，既保持了银高电导率的特性，又保持了V
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2在0℃发生相变的特性，使得制备的高致密度Ag/V
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2复合材料相较于现有的Cu/V
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2复合材料，各温度下电导率更高，应用范围更广泛，以满足某些行业的特殊需求。
声明：
“高致密银基钨掺杂二氧化钒复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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