本发明公开了一种硫化
铜/钒酸铋双层膜
复合材料的制备方法，是先用
电化学沉积法制备出多孔BiVO4光电极，再用简单的滴涂方式将CuS负载于BiVO4电极上，得到CuS/BiVO4双层膜复合材料。由于CuS是一种窄带隙p‑型半导体，禁带宽度几乎接近半导体Si材料，具有较好的可见光吸收性能及导电性；BiVO4是一种具有高可见光响应性、电子结构可调的n‑型半导体，二者复合形成双层CuS/BiVO4薄膜，构成价带和导带相交错的p‑n异质结构，这种结构有助于光生载流子的快速分离，减小电子‑空穴对复合，从而提高了BiVO4的光电化学性能，使其作为光电阳极材料在光催化分解水产氢反应中具有很好的应用前景。
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“硫化铜/钒酸铋双层膜复合材料的制备及作为光电阳极的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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