本发明公开了一种原位生长
石墨烯增强C
f/SiC
复合材料及其制备方法，其特征在于，所述的原位生长石墨烯增强C
f/SiC复合材料由
碳纤维预制件、PyC界面层、石墨烯、SiC基体组成；PyC界面层厚度为300‑500nm，石墨烯层数为3‑5层；通过等离子体增强CVD法在碳纤维预制体内原位生长石墨烯，然后通过CVI工艺对碳纤维预制件进行增密得到原位生长石墨烯增强C
f/SiC复合材料。本发明有效地解决了石墨烯较难在碳纤维预制件内均匀分散易团聚的问题，同时原位生长的石墨烯可显著提高C
f/SiC复合材料的力学性能。
声明：
“原位生长石墨烯增强Cf/SiC复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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