本发明公开了一种含HfZrB
2界面的Cf/SiC
复合材料的制备方法，包括：
碳纤维表面活化处理，界面相的制备，多孔纤维预制体的制备，
碳化硅基体的制备；其特征在于，碳化硅基体填充在纤维预制体中，形成碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料，而界面层包裹在复合材料中碳纤维的表面。本发明在碳纤维表面制得耐高温抗氧化HfZrB
2界面相，保留了碳纤维原有力学性能，提高了碳纤维高温抗氧化性。本发明解决了传统碳化硅陶瓷基复合材料制备方法制备周期长，Cf/SiC复合材料中增韧相碳纤维与碳化硅基体界面相容性以及碳纤维在高温氧化性的使用环境下容易发生氧化反应的技术问题。
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“含HfZrB2界面的Cf/SiC复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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