本发明公开一种基于I‑WP曲面的Cu/SiC
复合材料的制备方法，是一种金属相Cu和陶瓷相SiC以三周期极小曲面I‑WP结构为基础，在三维空间网络结构连续并且互相缠绕在一起的三维网络结构复合材料。I‑WP曲面结构能有效避免应力集中，增加复合材料的力学性能，Cu/SiC复合材料既具有金属的塑形、导电导热性，又具备陶瓷的高硬度、高耐磨性及化学稳定性等特点。所述制备方法具体是设计并3D打印I‑WP曲面的结构；多孔SiC陶瓷预制体的制备；金属Cu的浸渗。本发明可以通过改变I‑WP曲面结构的打印参数，控制金属和陶瓷的含量，使制备的Cu/SiC复合材料更适合工业的需要。
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“基于I-WP曲面的铜碳化硅复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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