本发明公开了一种低填料含量场敏感型非线性导电
复合材料薄膜及其制备方法，本发明以具有高长径比的SiC纳米线为填料，二胺和二酐为单体，制备SiC纳米线/聚酰亚胺复合材料薄膜，且SiC纳米线在复合材料中的体积分数仅为1％‑3％。本方法工艺简单，适合大量制备，所制得的低填充比复合材料薄膜具有良好的非线性电导特性，电导率可以自发随电场强度变化而调控，同时对聚酰亚胺基体的力学性能没有劣化影响，可作为深层介质充电防护材料用于航天器等领域。
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“低填料含量场敏感型非线性导电复合材料薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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