本发明公开了一种In2O3‑CNH纳米
复合材料的制备方法及使用其复合材料制备气敏元件的方法，In2O3‑CNH纳米复合材料的制备方法包括1：制备In(OH)3粉末；2:基于粉末制备In2O3纳米立方体；3:收集带正电荷的In2O3；4:获得In2O3‑CNH纳米复合材料，气敏元件的制备方法为基于复合材料与乙醇混合后，涂抹在电极上，红外干燥两小时，冷却后焊接到电路板底座上，并老化5天，本发明构建的In2O3‑CNH气体传感器具有响应速度快、灵敏度高、稳定性好、选择性好、检测限低的特性，能对H2S进行准确、快速的检测；其突出的特点是工作温度低，可以在70℃下工作，可以极大地降低器件能耗。
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“In2O3-CNH纳米复合材料及其制备的气敏元件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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