本发明涉及一种C/C‑Si
复合材料表面生长辐射状纳米线及在常温下的制备方法，利用包埋法在真空加热炉中在碳/碳复合材料表面制备硅涂层，然后对C/C‑Si复合材料采用浓硫酸与双氧水混合溶液浸润后，将C/C‑Si复合材料表面放入单分散聚苯乙烯微球溶液中，经干燥后在喷金溅射仪中喷金。随后将C/C‑Si复合材料放入由去离子水，丙三醇，双氧水和氢氟酸按不同体积分数组成的混合溶液中刻蚀不同的时间。获得常温下在C/C‑Si复合材料表面辐射状生长的Si纳米线。本发明的纳米线是从C/C‑Si复合材料表面生长出来的辐射状纳米线，可以提高内涂层与外涂层之间的结合力，缓解热膨胀失配。可以减少碳/碳复合材料多次高温处理造成的力学性能下降，能够有效保护碳/碳复合材料。
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“C/C-Si复合材料表面生长辐射状纳米线及在常温下的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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