本发明涉及一种
复合材料及其制备方法、量子点发光二极管。复合材料包括
半导体材料和掺杂于半导体材料中的p型掺杂剂，p型掺杂剂为全氟烷基
硅烷。上述复合材料中，作为p型掺杂剂的全氟烷基硅烷具有很强的吸电子能力，可以将电子从半导体材料中吸走，从而留下空穴，提高半导体材料的空穴浓度，继而提高半导体材料的导电率，从而提高空穴传输效率，增加半导体材料的空穴传输性能。此外，本发明还涉及一种复合材料的制备方法以及包括上述复合材料的量子点发光二极管。
声明：
“复合材料及其制备方法、量子点发光二极管” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1136
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
