本发明涉及一种去除SiC
f/SiC
复合材料残余硅的方法，包括以下步骤：(1)将通过熔渗工艺制备的具有一定残余硅含量的SiC
f/SiC复合材料在室温下浸没于氢氟酸与一种氧化性强酸的混合溶液中；(2)将经酸溶液浸渍后的复合材料超声处理，然后真空干燥处理；(3)将干燥处理后的复合材料真空浸渍于液态聚碳
硅烷中，然后在1000～1500℃下高温热处理；(4)通过化学气相沉积工艺在高温热处理后的复合材料表面制备一层厚度为10～200μm的
碳化硅封闭层。该方法可将熔渗工艺制备的SiC
f/SiC复合材料中的残余硅质量分数降低至0.05％以内，提高了复合材料在高温环境下的抗蠕变性，同时提升了复合材料的使用温度和抗氧化性，具有良好的应用价值。
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“去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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