本发明涉及聚羟基烷酸酯/蒙脱土插层型纳米
复合材料的共混制备。它是一种简便而又高效的共混复合材料的制备方法。本发明所使用制备方法是三步熔融插层法。即先通过引发剂在熔融的条件下制备聚羟基烷酸酯的接枝聚合物,再通过熔融插层法制备出以接枝聚羟基烷酸酯为基体,经有机化改性的纳米蒙脱土为填充成分的填充母料,最后再将此母料与聚羟基烷酸酯熔融共混制备出其复合材料。本发明制备方法简单,所获得的复合材料纳米蒙脱土层间距在1NM-5NM之间,所制得的材料中纳米蒙脱土分散均匀,材料力学性能好,具有较好的耐热性能和成膜性等优点。
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“聚羟基烷酸酯/蒙脱土插层型纳米复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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