本发明属于纳米光电材料技术领域，公开了一种花青素敏化的P5FIn/ITO纳米
复合材料的制备方法及其应用。该制备方法包括如下步骤：(1)含有吲哚‑5‑甲醛的乙腈溶液的制备；(2)P5FIn/ITO电极复合材料的制备；(3)花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备：将所述P5FIn/ITO电极复合材料放入所述花青素溶液中浸泡，最终得到花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料。本发明制备的花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料具有良好光电性能；花青素敏化的P5FIn/ITO复合材料具有较高的氧化还原活性和
电化学稳定性。
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“花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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