一种用于LDMOS型功率晶体管的半导体封装,其具有:一含金属的衬底,其上直接安装有
芯片;在所述衬底上邻近芯片安装的引线框架绝缘体,以及安装在所述绝缘体上并通过焊丝电连接至所述芯片的多个引线。所述衬底包括一具有由纯
铜层构成的相对表面的主体,主体内部至少部分由铜/金刚石
复合材料构成,从而起着散热器的作用,从而提供改善的散热效果、低热膨胀、以及芯片的电连接。所述主体可以完全由铜/金刚石复合材料构成,或者由具有插入其中的铜/金刚石复合材料的铜/钨复合材料构成。铜/金刚石复合材料由铜基质中包含的金刚石颗粒构成。在制作所述铜/金刚石复合材料的方法中,在金刚石颗粒上涂覆多层元素或无机化合物,并将其与干压粘合剂混合,之后,在压力作用下,将其压入模具中,以形成一压实主体。将所述主体放在一片铜上并在真空或氢气气氛中加热,使粘合剂蒸发或分解,在真空或氢气气氛中加热,使经过涂覆的颗粒结合或部分烧结,之后在氢气气氛中加热至稍高于铜的熔点的温度,从而使铜熔化并注入到结合或部分烧结的金刚石颗粒中。随后,将所述压实主体冷却,并切割成所期望的形状。
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“具有铜/金刚石复合材料的半导体衬底及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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