一种单壁
碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱
复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用，属于碳
纳米材料技术领域。底层为硅片，硅片上为垂直单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳纳米洋葱结构。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管阵列的顶端蒸镀Si层，然后利用Si层生长碳纳米洋葱结构。单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料除去底层硅片后用于超级电容器中。
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“单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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