本发明揭示了一种PMU泵浦结构及其形成方法。该结构包括呈镜像对称的第一部分和第二部分，所述第一部分包括：半导体基底；形成于所述半导体基底上的外延层；形成于所述外延层中的第一障碍层；形成于所述外延层上的功能层，所述功能层包括距离第二部分自远及近排列的第一P+区、第一N+区、第二P+区及第二N+区；以及位于所述功能层上的金属互连层，所述金属互连层使得第一N+区及第二P+区等电势；所述第一障碍层与功能层之间形成有外延层。通过使得第一N+区及第二P+区等电势，避免了第一N+区和第二P+区之间产生压降，防止了外延层、第一障碍层及半导体基底之间漏电流的产生。
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来源：北方有色网
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