本发明揭示了一种含钽薄膜的刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括：步骤S1、在含钽薄膜上沉积一层或者多层的隔离材料；步骤S2、采用光刻工艺，刻蚀隔离材料及含钽薄膜。所述步骤S2具体包括：步骤S21、沉积光刻胶后进行曝光、显影工艺；步骤S22、采用刻蚀工艺先刻蚀上述的隔离材料；步骤S23、采用与步骤S22中的刻蚀工艺相同或者不同的工艺参数刻蚀含钽薄膜，而后去除光刻胶；或者，在刻蚀隔离材料后先去除光刻胶，随后以隔离材料作为硬掩膜，再次刻蚀去除含钽薄膜。本发明提出的含钽薄膜的刻蚀工艺，可以保证刻蚀后此薄膜表面洁净，保障后续工艺的顺利和性能（如接触）的可靠。同时，本发明工艺稳定可靠且成本低。
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来源：北方有色网
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