本发明属于磁性
功能材料领域，特别提供了一种
钕铁硼磁体晶界扩渗的制备方法。其特征在于将R－M合金氢破粉作为钕铁硼磁体晶界扩渗的扩渗源，其中R为La, Ce, Pr, Nd, Gd, Tb, Dy, Ho中的至少一种，M为Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Al中的至少一种，M的原子分数5－30％。具体工艺步骤为：用速凝法制备R－M合金薄片；将合金薄片进行氢破处理得到R－M氢破粉；将R－M氢破粉附着在钕铁硼磁体的表面作为扩渗源；进行晶界扩渗及退火热处理。该发明的主要优点是：R－M氢破粉具有很强的抗氧化性；R?M氢破粉熔点低，扩渗效率高；工艺简单，操作方便。
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“钕铁硼磁体晶界扩渗的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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