本发明涉及微电子技术领域，具体是一种集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法，该方法包括：在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后，沉积金属层间介质层；之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开，形成与钨栓塞部分错开的孔洞，露出一部分钨栓塞；随后生长金属氧化物
功能材料、电极材料、扩散阻挡层、仔晶
铜以及电镀铜，最后用化学机械抛光形成存储单元。本发明方法可以实现突破常规光刻工艺的器件尺寸，且有助于固定电阻存储器导电细丝的形成位置，增强器件的均一性。
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“集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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