一种碘化亚
铜晶体的生长方法,属于光电子
功能材料技术领域中的人工晶体和晶体生长领域,尤其是涉及一种作为超快闪烁晶体材料。该方法使用乙腈为生长溶剂,在高温高于40摄氏度以上,利用惰性气体保护,采用溶剂蒸发的方法生长晶体。生长设备简单、工艺易控制。所生长出的晶体晶形完整、缺陷少、尺寸较大。生长的晶体在高能物理、核医学成像等方面具有很重要的应用价值。
声明：
“超快闪烁晶体CUI及生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
952
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
