本发明一种氧化亚
铜半导体陶瓷材料及其制备方法，属于
功能材料技术领域。本发明提出的一种新的氧化亚铜半导体陶瓷材料配方，该配方改变以往直接采用Cu
2O原料，在Cu
2O基础上添加其他金属氧化物原料作为组成的方法。改变半导体陶瓷材料的组成配方，并选择增加导电性金属氧化物，降低半导体陶瓷材料的体积电阻，提高半导体陶瓷材料耐电腐蚀性和耐化学性腐蚀性，增加半导体陶瓷材料与Al
2O
3，ZrO
2基体材料的结合强度，从而提高使用半导体陶瓷材料的使用寿命。同时，减少在制备过程中对人员和环境的威胁。
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“氧化亚铜半导体陶瓷材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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