一种磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法，属于电子
功能材料技术领域。包括MgAl2O4单晶基片、Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体和NiFe2O4纳米线；NiFe2O4纳米线均匀分布在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体中，形成沉积于MgAl2O4单晶基片（001）取向表面的磁性纳米线阵列薄膜。该薄膜采用PZT-NFO靶材和（001）取向MgAl2O4单晶基片，采用90度离轴磁控溅射工艺制得，具有铁磁共振线宽小、铁磁共振频率高、晶格失配小，可自组装外延生长的特点，是一种用于微波非互易性器件的重要材料。其制备方法容易实现，参数控制方便，操作简单，成本低。
声明：
“磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1559
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
